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三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所 | 論文
- Cat-CVD法によるAlGaN/GaN HEMT表面のSiN膜パッシベーション(電子デバイスの信頼性と半導体表面・界面制御・評価)
- Cat-CVD法によるAlGaN/GaN HEMT表面のSiN膜パッシベーション(電子デバイスの信頼性と半導体表面・界面制御・評価)
- 高周波デバイスの特性向上に向けたCat-CVD技術の適用 (特集 光・高周波デバイス)
- 50%比帯域を有するX帯高耐電力GaN HEMT T/Rスイッチ(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
- 50%比帯域を有するX帯高耐電力GaN HEMT T/Rスイッチ(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
- 直並列・並列併用形S帯100W GaN FETスイッチ
- 無線通信用1.2/2.4GHz帯及び2.6/5.2GHz帯CMOS周波数逓倍器(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- 薄膜抵抗からなるポスト壁導波路無反射終端器(マイクロ波,EMC,一般)
- 薄膜抵抗からなるポスト壁導波路無反射終端器(マイクロ波,EMC,一般)
- 引張歪非対称量子井戸を有する1.3μm帯25/43Gbps EA変調器付DFB-LD(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
- 引張歪非対称量子井戸を有する1.3μm帯25/43Gbps EA変調器付DFB-LD(フォトニック NW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
- CS-5-6 1.3μm帯25/40Gb/s EA変調器集積DFB-LD(CS-5.新たな転機を迎えた通信用送受信デバイスの動向,シンポジウムセッション)
- 引張歪非対称量子井戸を有する1.3μm帯25 / 43Gbps EA変調器付DFB-LD
- 引張歪非対称量子井戸を有する1.3μm帯25/43Gbps EA変換器付DFB-LD(フォトニック NW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
- C-14-9 高RF出力同軸型PDモジュール(C-14.マイクロ波フォトニクス,一般セッション)
- 高RF出力InGaAs/InP p-i-n PD(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- 高RF出力InGaAs/InP p-i-n PD(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- C-4-19 高RF出力InGaAs/InP pin-PD(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- マイクロ波発生用高効率デュアル・レゾナント・キャビティ InGaAs pin PD
- マイクロ波発生用高光電流InGaAs pin PD(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術、受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
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