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三菱電機株式会社高周波・光デバイス製作所 | 論文
- CDMA用2.4V低レファレンス電圧動作HBT-MMIC電力増幅器 (特集 高周波・光デバイス)
- CDMA端末用2.4V低レファレンス電圧動作InGaP-HBT MMIC電力増幅器(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- CDMA端末用2.4V低レファレンス電圧動作InGaP-HBT MMIC電力増幅器
- C-10-6 CDMA端末用2.4V低リファレンス電圧動作InGaP-HBT電力増幅器(C-10.電子デバイス,一般講演)
- 1.9GHz帯, 2V動作GaAs T/R-MMIC
- 1.9GHz帯, 2V動作GaAs T/R-MMIC
- 1.9GHz帯, 2V動作GaAs T/R-MMIC
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- 2.4GHz帯無線LAN用低電圧動作GaAs送受信一体化MMIC
- 低消費電流動作PHS用送受信一体化GaAs MMIC
- 超高速GaAs MESFETプロセスの光伝送技術への応用
- GaAs-HBT AC結合スタック型ベース・コレクタダイオードスイッチを用いた0/20dB減衰器(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- GaAs-HBT AC結合スタック型ベース・コレクタダイオードスイッチを用いた0/20dB減衰器
- C-10-5 GaAs AC結合スタック型ダイオードステップ減衰器の歪み特性の改善(C-10.電子デバイス,一般講演)
- 10Gbit/s識別器用広帯域バッファの検討
- 10Gbit/s光受信用GaAs ICの開発
- GaAs方向性結合器付き検波回路の検討(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- 無線通信用カレントミラー型GaAs HBT RF検波回路の検討(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- 10Gbps光受信用マルチチップモジュールの開発(2)
- 10Gb/sフリップフロップ内臓分布型EA変調器駆動IC