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三菱電機株式会社光・マイクロ波デバイス開発研究所 | 論文
- 980nmLDモジュールのキンクフリー光出力向上の検討
- 埋め込みPHS構造FETを用いたX帯高出力MMIC増幅器
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- 表面洗浄処理がGaAs FETsのデバイス特性に及ぼす影響(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
- Ka帯低雑音MMIC増幅器
- 線路間結合を考慮したX帯小型MMIC増幅器の設計
- U帯高出力HEMT
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- 線路間結合を考慮したX帯小型MMIC増幅器の設計
- ミリ波帯オンウエハ自動評価技術
- W帯モノリシック低雑音増幅器
- マルチフィンガ HBT の過渡応答特性評価によるコラプス現象の解析
- AlGaAs/GaAs HBTの過渡応答特性
- コプレーナ線路型オンウェハプローブとマイクロストリップ変換部の位相変化解析
- ステップドープチャネルFETの大信号特性解析
- インパットダイオ-ドの動作解析--周波数特性
- インパットダイオ-ドの動作解析-1-大信号解析法の提案とその応用解析
- 5)高出力高信頼性PN接合GaAsインパットダイオード(テレビジョン無線技術研究会(第43回))
- 0.4W Q帯電力増幅器MMIC