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三菱電機株式会社光・マイクロ波デバイス開発研究所 | 論文
- インダクタ内蔵FETスイッチ
- 10Gbit/s InGaP/GaAs HBTドライバIC(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- 10Gbit/s InGaP/GaAs HBT ドライバIC(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- C-10-1 10Gbit/s InGap/GaAs HBT ドライバ IC
- W帯モノリシック低雑音増幅器モジュール
- AMSR用W帯モノリシック低雑音増幅器モジュール
- 単一電源動作K帯低雑音MMIC増幅器
- 90゜インバータ結合形副共振器を用いたV帯MMIC発振器
- Ka帯低雑音増幅器MMIC
- Dual Gate HEMTを用いたQ帯低雑音可変利得増幅器MMIC (特集"半導体")
- 低電流動作時のFETの不安定動作領域における雑音パラメータの抽出法
- WiMAX用小型電力増幅器"MGFS38Eシリーズ" (特集 高周波・光デバイス)
- C-10-10 カプラ及びアッテネータ内蔵型W-CDMA用HBT電力増幅器(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- ソースインダクタ装荷MMIC簡易型リニアライザによる相互変調歪特性の改善
- 並列ダイオードを用いたマイクロ波簡易リニアライザ
- 並列ダイオード装荷による高出力増幅器の高効率化
- FETのI-V特性より入出力位相特性を求める計算法
- 直列ダイオードリニアライザによる隣椄チャンネル漏洩電力特性の改善
- GaAs FETの低電圧,高効率動作時における直流特性の検討
- 温度検出制御回路を用いたフィードフォワード低歪み増幅器の温度補償実験