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フェムト秒テクノロジー研究機構 | 論文
- 超短パルス光と全光スイッチング
- フォトニック結晶入門, 迫田和彰(著), 『フォトニック結晶入門』, 森北出版(2004-01), A5判, 定価(本体3,600円+税)
- STMを用いた精密位置制御量子ドット
- C-3-4 疑似位相整合縦続二次非線形デバイスを用いた全光超高速ゲートスイッチの速度限界
- 28pSM-6 フォトカソードRFガンによる高輝度電子線発生
- 28pSM-5 レーザートムソン散乱による短パルスX線の発生
- 半導体光増幅器内の四光波混合を用いた超高速波長変換
- InGaAs3元基板上低しきい値1.3μmレーザ
- InGaAs3元基板を用いた1.3μm帯歪量子井戸レーザ
- IDW'00会議報告
- SC-4-2 半導体可飽和吸収ミラーによるモード同期制御
- フェムト秒光パルス発生技術の現状と課題
- 3-1 フェムト秒高輝度X線パルス発生装置(3.フェムト秒光源(次世代産業基盤を支えるフェムト秒テクノロジーの動向))
- λ/4位相シフトDFBレーザ内での非縮退4光波混合の飽和特性
- 多層化自己形成InGaAs量子ドットレーザの室温連続発振
- 自己組織化In_Ga_As量子ドットレーザの電流注入によるレーザ発振
- 発振光をポンプ光としたDFBレーザー内での非縮退四光波混合
- InGaAs3 元基板を用いた 1.3μm 帯半導体レーザ
- 1.3μm帯面発光レーザの特性解析 : InGaAs3元基板の検討
- SC-4-10 入出射導波路付2次元AlGaAsフォトニック結晶の作製と評価