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デンソー基礎研 | 論文
- 24aY-5 STM/RHEEDによる 6H-SiC(0001)表面の再構成の観察
- 22aXJ-10 酸化によるSiC(0001)-3×3と√×√-R30°表面構造の変化(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 20aPS-26 STM による SiC 表面のグラファイト構造の観察
- 20aPS-30 AES と RHEED ロッキング曲線による 6H-SiC(0001) (√3×√3)-R30°と 3×3 表面の酸化初期過程の研究
- 17pWD-4 SiC(0001)(√×√)-R30゜表面の多波条件RHEEDロッキング曲線による研究
- 30aXE-1 6H-SiC(0001) 3×3再構成表面のRHEEDロッキング曲線による研究
- 25aWB-12 SiC(0001)√×√再構成表面のRHEEDロッキング曲線による研究
- 22pT-10 SiC(0001)表面のRHEEDロッキング曲線による研究
- ここまで来たSiC技術 : 加速するSiCデバイス
- 分子イオンの表面衝突によるフラグメンテーション過程
- 3C-SiC単結晶からのカーボンナノチューブ形成のその場観察
- 3P-24 c軸傾斜配向ScAlN膜の擬似すべりモードおける巨大圧電性(ポスターセッション)
- 低貫通欠陥密度SiC基板を用いた4H-SiC JBSダイオードのリーク電流解析
- 8aSM-5 表面X線回折法によるSiC(0001)3×3構造の研究(表面界面構造・電子物性,領域9)