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キヤノンアネルバ株式会社 | 論文
- 強磁性トンネル接合素子におけるスピントルク発振の磁場方位依存性
- 半導体製造ラインにおける磁気トンネル接合の成膜と微細加工プロセス
- スピン注入素子の高周波特性 : 発振・ダイオード効果とマグネティックノイズ
- MgOバリアを用いたMTJ素子におけるスピントルク磁化反転
- 18pZC-3 トンネル磁気抵抗素子の磁気共鳴ノイズ特性(18pZC 微小領域磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 極薄Mg層を挿入したMgO障壁層を用いた磁気トンネル接合に関する評価
- スピン注入磁化反転素子の高周波特性
- MgOバリアを用いたMTJにおけるスピン注入磁化反転
- 高性能トンネル磁気抵抗効果TMR膜を形成するためのスパッタ成膜技術(「磁性薄膜作製技術」)
- GMR/TMR膜作製における膜表面処理技術
- プラズマトリートメントによるTMR多層膜のH_低減
- IrMnベーススピンバルブ膜におけるNiFeCr下地層の効果
- 真空一貫原子制御PVDプロセスによるTiO_2/HfSiO/SiO_2積層構造 High-k 絶縁膜の作製と電気特性評価
- 極薄SiGeバッファ層を用いたSi(100)基板上へのGeヘテロエピタキシャル成長
- MgOトンネル障壁を用いた超低抵抗MTJ素子技術
- 19aZC-6 スピントルクダイオード効果を用いた電流駆動磁壁共鳴現象の観測(19aZC 薄膜・人工格子磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
- スピトルクダイオードと負性抵抗効果
- Co-Fe及びCo-Fe-Bフリー層を用いたCPP-GMR素子のスピン注入磁化反転特性(薄膜)
- CO+NH_3を用いたエッチングにより形成したTMR素子
- 磁気抵抗素子用スパッタリング装置の技術動向