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カンザス州立大 | 論文
- 24aQD-7 高強度レーザーパルスによる原子・分子状態のイメージング理論と実験(量子エレクトロニクス(超高速現象・高強度レーザー),領域1,原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理)
- 22pC-4 多価イオンへの電荷移行によって生成した励起状態の偏光分光II
- 28a-ZC-5 多価イオンへの電荷移行によって生成した励起状態の偏光分光
- 5a-YC-11 Xe多価イオン衝突による固体からの2次イオン放出
- 1%C-5%Cr ロール鋼へのイオンミキシング法による TiN 被膜の形成と耐摩耗性の向上
- 25a-L-2 リチウムの3電子同時光電離
- 26pB-6 多価重イオン照射における弾性散乱と電子励起の協調効果
- 30p-K-5 Xe多価イオン衝突による固体からの2次イオン放出 II
- 4p-B-14 RBS 方による非晶質水素化シリコン (a-Si-H) 膜中の水素の深さ方向分布測定とその原理
- 4p-B-13 非晶質 Si-H 膜のイオン後方散乱による characterization II
- 2a-W-23 Xeを用いたスパッタ法によるa-Si膜の作製
- 電顕中におけるスパッタリング生成膜の観察 : X線, 粒子線
- 2p-G-10 重イオン照射における原子変位損傷のイオン種依存
- イオン注入と真空蒸着による薄膜合成(IVD法)
- 2a-W-22 水素ガスでのスパッタによる水素化結晶Siの構造・物性
- 29a-D-3 水素又は重水素の高線量イオン注入法によるa-Si: H(D)の製作
- 31p GE-9 非晶質Si-H膜のイオン後方散乱法によるcharacterization
- 物理的プロセス及び機器の特徴と応用 (フォーラム「膜形成プロセスとその応用」)
- イオン注入による表面処理
- イオン照射と蒸着(IVD)による立方晶系窒化ボロン膜(超硬質薄膜形成技術の新展開)