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アネルバ株式会社 | 論文
- MgO-MTJおよびCPP-GMRにおけるスピントルク発振 : 発振の高出力化および高周波化にむけて
- 強磁性トンネル接合素子におけるスピントルク発振の磁場方位依存性
- 半導体製造ラインにおける磁気トンネル接合の成膜と微細加工プロセス
- スピン注入素子の高周波特性 : 発振・ダイオード効果とマグネティックノイズ
- MgOバリアを用いたMTJ素子におけるスピントルク磁化反転
- 18pZC-3 トンネル磁気抵抗素子の磁気共鳴ノイズ特性(18pZC 微小領域磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 23aXH-7 CoFeB/MgOトンネル界面に挿入した超薄金属Mg層の酸化状態(23aXH 薄膜,表面・界面磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 極薄Mg層を挿入したMgO障壁層を用いた磁気トンネル接合に関する評価
- スピン注入磁化反転素子の高周波特性
- MgOバリアを用いたMTJにおけるスピン注入磁化反転
- 酸化マグネシウムをトンネル障壁に用いた磁気トンネル素子の開発とMRAMの将来展望
- 高性能トンネル磁気抵抗効果TMR膜を形成するためのスパッタ成膜技術(「磁性薄膜作製技術」)
- GMR/TMR膜作製における膜表面処理技術
- プラズマトリートメントによるTMR多層膜のH_低減
- IrMnベーススピンバルブ膜におけるNiFeCr下地層の効果
- MgOトンネル障壁を用いた超低抵抗MTJ素子技術
- スピトルクダイオードと負性抵抗効果
- MgO障壁層を用いたトンネル磁気抵抗素子の開発
- CO+NH_3を用いたエッチングにより形成したTMR素子
- CVD法によるCuめっき用下地膜の真空一貫Barrier/Cu Seed積層成膜