スポンサーリンク
アトムテクノロジー研究体 | 論文
- HfO_2ゲート絶縁膜の熱的安定性 : 界面層の成長およびシリサイドの形成(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))
- シリコン表面の原子層単位の酸化反応
- 23pZN-8 Siの層状酸化
- シリコン表面のLayer-by-Layer酸化
- パイプ中の遅延時間によるH_2O吸着特性の測定
- ステンレス鋼表面のH_2O付着確率低減法
- ステンレス鋼表面におけるH_2O付着確率の表面状態依存性
- 小片試料表面からの吸着性放出ガスの計測法
- 無振動クライオポンプの開発
- コンダクタンス変調法による各種ポンプの排気速度特性評価
- 臭素吸着 Si(111)表面の原子層エッチングと電子刺激脱離
- 複合型走査反射電子顕微鏡によるGeナノ構造形成
- SREM/STMによるSi/Geナノ構造の形成と安定性の評価
- Si表面の原子層酸化のナノメータースケール観察
- 原子層のSi酸化膜を用いたナノ構造形成
- 表面自己組織化の制御によるSiナノ構造形成
- アトムテクノロジー研究体での表面研究
- 堆積温度上昇によるMOCVD HfO_2膜のフッ酸エッチング速度の急激な低下(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- アモルファス半導体の構造
- 官から見た産官学プロジェクト