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アトムテクノロジー研究体 | 論文
- 3F0915 RecA-DNA複合体のAFM観察
- 25a-YF-12 ミスマッチ基板上に作製したLa_Sr_xMnO_3薄膜のストレスによる電気的磁気的特性
- 30a-N-6 c軸配向La_Sr_Mn_2O_7薄膜の作製と物理的特性
- 走査プローブ顕微鏡による表面原子・分子化学分析
- 原子操作と識別技術
- 探針に吸着させた原子種の同定
- Si/SiO_2界面の構造と電子状態
- 29a-PB-15 走査反射電子顕微鏡による常圧熱酸化SiO_2/Si(001)界面の観察
- 7a-PS-52 GaAs{111}A, B-(2×2)極性表面上におけるZnSe成長
- 28a-T-4 Te終端GaAs(001)表面上におけるZnSeの成長形態と欠陥生成
- ZnSe/GaAsヘテロバレント界面の評価と制御
- 22pTD-6 極薄酸化膜のSi開口部におけるGe/Siナノ結晶の成長過程とステップ間相互作用
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- 20aRH-13 グラファイトの層間相互作用
- 触媒反応の第一原理シミュレーション:動的過程の解明に向けて
- シリコン表面酸化の様子をシミュレーションする
- 28a-D-1 大気圧用走査型トンネル顕微鏡装置の製作と評価
- 水素化シリコン系薄膜の成長初期過程-走査トンネル顕微鏡によるナノスケール観察-
- 走査型トンネル顕微鏡を用いたhigh-kゲート絶縁膜の評価 : STMスポットと正固定電荷の相関(ゲート絶縁膜, 容量膜, 機能膜及びメモリ技術)
- HfO_2ゲート絶縁膜の熱的安定性 : 界面層の成長およびシリサイドの形成(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))