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(株)東芝ULSI研究所 | 論文
- CMOSイメージセンサのノイズキャンセル回路
- 5)不完全転送型フォトダイオードのランダムノイズの低減(情報入力研究会コンシューマエレクトロニクス研究会合同)
- 1-2 積層型CCDセンサーのランダム雑音抑圧セルの検討
- 不完全転送型フォトダイオードのランダムノイズの低減
- AFMによるラジカル酸化膜/Si界面平坦化効果の検討
- テトラメチルシラン/酸素ラジカルの系の気相重合反応とSiO_x堆積形状
- 18-3 積層型CCDセンサのknee特性の検討
- CCD用高感度電荷検出器
- 4-14 CCDセンサのCDS回路オンチップ化
- 3-13 2/3インチ28万画素IT-CCDイメージセンサ
- 3-6 1/2″IT-CCDイメージセンサの性能改善
- CMOSセンサはCCDセンサを超えられるか?
- N doped a-Si:H層による積層型固体撮像素子の高輝度残像特性の改善 : 情報入力,情報ディスプレイ,コンシューマエレクトロニクス
- CMOSイメージセンサ技術
- CMOSイメージセンサ技術
- スタックCCDの雑音解析 : 雑音・残像解析と抑圧
- FIT-CCDセンサの垂直解像度の改善
- 埋め込みチャネルCCDの縮小化と二次元効果
- 埋め込みチャネルCCDの一次元解析
- 2/3インチ40万画素低残像積層型CCDイメージセンサー