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(株)東芝ULSI研究所 | 論文
- 高アスペクト比構造の微細加工技術(次世代リソグラフィ技術)
- 各種ドライエッチング装置と加工特性 : 高速反応性イオンエッチング(半導体素子 : 材料とプロセス技術)
- 格子依存性を緩和した反転層移動度モデル
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- 分子動力学を用いたプロセスシミュレーター
- 埋込チャネルMOSFETのSスイングと短チャネル効果の改善 : Counter-Doped Surface-Channel MOSFET (CDSC)(ディープサブミクロンMOSトランジスタ技術小特集)
- 半導体デバイスシミュレ-ション技術の現状と将来
- Si-CH_3結合を含む低誘電率層間絶縁膜の形成
- 人と人との共鳴