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(株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター | 論文
- 薄膜アモルファスシリコンの低温結晶化(プロセス科学と新プロセス技術)
- HfSiON高誘電率ゲート絶縁膜技術
- 電子ビーム描画データ変換の高速化
- 低Hf濃度キャップ層(Hf=6%)形成によるHfSiONゲート絶縁膜の電気特性および信頼性向上とそのメカニズム
- 単結晶浮遊ゲート電極を用いた不揮発性メモリセルの検討
- TEOSとtert-butoxideを用いたZr/Hfシリケイト薄膜の熱CVD
- 不純物偏析を利用した低障壁ショットキートランジスタ(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
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- シリコン中のB_クラスターの構造と物性
- CVD法によるDRAMキャパシタ用(Ba,Sr)TiO_3薄膜の形成
- ナノスケールMOSFETにおけるプラズマドーピングとレーザーアニールを適用した急峻SDEの検討(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
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