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(株)東芝研究開発センター環境技術研究所 | 論文
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- 硬X線光電子分光法を用いた半導体デバイスの分析
- 絶縁膜の結合状態、誘電特性評価法としてのTEM-EELSのポテンシャル(ゲート絶縁膜, 容量膜, 機能膜及びメモリ技術)
- SiGeソース構造によるSOI MOSFET基板浮遊効果の抑制 : SiGe構造パラメータ依存性
- 24aYK-7 CBED法を用いたデバイス中の歪分布測定(24aYK X線・粒子線(電子線),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 21aYM-10 デバイス中の不鮮明なHOLZ線の解析(X線・粒子線(中性子),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- Ba_Sr_TiO_3/SrRuO_3キャパシタの膜微細構造
- セラミックス
- 分析電子顕微鏡による半導体材料の評価
- 二次イオン質量分析法によるシリコンウェハー中窒素の深さ方向分析(質量分析法の応用技術)
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