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(株)日立製作所研究開発本部 | 論文
- 独立に周波数制御可能な4320MIPS、SMP/AMP対応4プロセッサLSIの開発(集積回路とアーキテクチャの協創-プロセッサ,メモリ,システムLSI及び一般-)
- 情報家電用マルチコアSMP実行モードにおけるマルチグレイン並列処理(集積回路とアーキテクチャの協創-プロセッサ,メモリ,システムLSI及び一般-)
- 独立に周波数制御可能な4320MIPS、SMP/AMP対応4プロセッサLSIの開発(マルチコア,集積回路とアーキテクチャの協創-プロセッサ,メモリ,システムLSI及び一般-)
- 双方向電流書換方式、平行化方向読出し方式を用いた2Mb-SPRAM (SPin-transfer torque RAM)(新メモリ技術とシステムLSI)
- 情報家電用マルチコアSMP実行モードにおけるマルチグレイン並列処理(マルチコア,集積回路とアーキテクチャの協創-プロセッサ,メモリ,システムLSI及び一般-)
- 新時代におけるマルチコア戦略(マイクロアーキテクチャ,集積回路とアーキテクチャの協創〜どう繋ぐ?どう使う?マルチコア〜)
- テラビットパケットスイッチに適用するキュー情報管理スケジューリング方式の検討
- B-6-15 パケットスイッチにおける可変帯域割当制御方式の検討
- 次世代大規模IPネットワーク向けノードシステム
- 高性能ライトヘッド用高B_s軟磁性材料
- 高比抵抗軟磁性膜を用いたフラットトップライトヘッド
- 高性能ライトヘッド用Bs=2.4T軟磁性材料
- BK-3-5 知的創造社会へ向けてのuVALUE研究開発活動(BK-3.最先端ICT企業エクゼクティブによるR&Dの今後の展望と課題,ソサイエティ特別企画,ソサイエティ企画)
- 積層フェリ自由層トンネル磁気抵抗効果素子を備えたSPRAMのリードディスターブ耐性と書き込み電流のばらつきの低減(メモリ,VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- 積層フェリ自由層トンネル磁気抵抗効果素子を備えたSPRAMのリードディスターブ耐性と書き込み電流のばらつきの低減(メモリ, VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- ユビキタス情報時代の超低消費電力LSI技術 デバイス・回路・RAM (特集 ユビキタス情報社会を支える半導体)
- AT-2-2 動的再構成プロセッサFE-GAとその開発環境(AT-2.リコンフィギュラブルデバイスとCAD技術,パネルセッションチュートリアルセッション,ソサイエティ企画)
- HTML講義資料に対する進捗管理機能の自動付与手法の検討
- One-hot-spotブロック符号を用いたネットワーク・ルータ向け大容量・低電力ダイナミックCAM(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
- One-hot-spotブロック符号を用いたネットワーク・ルータ向け大容量・低電力ダイナミックCAM(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
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