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(株)日立製作所中央研究所 | 論文
- 無線ATM用フレーム形式の検討
- Brand Impact Diagramによる企業R&D情報発信の解析と効果の可視化--R&Dブランド価値評価に関する取り組み (INFOSTAシンポジウム2003--情報サービスソリューションに向けて)
- HTS-SQUIDを用いた直交磁場印加型非破壊検査システムの開発
- SVM/HMMによる引用文献データの同定(情報抽出・構造分析)(ユビキタス社会における情報流通および一般)
- Si注入による端面透明化構造を有する0.98μm帯InGaAs/InGaAsP半導体レーザ
- 指数関数型フレアストライプを有する0.98μm帯InGaAs/InGaAsPレーザの高出力特性
- スポットサイズ拡大機能を有する0.98μm帯InGaAs/InGaAsP歪量子井戸半導体レーザ
- Alフリー0.98μm帯InGaAs/InGaP/GaAs面発光型レーザの室温連続動作
- InGaAsP障壁層を有する0.98μm帯InGaAs/InGaP/GaASレーザの高温高出力特性
- InGaAsP障壁層の導入による帯InGaAs/InGaP/GaAs歪量子井戸レーザの高信頼性動作
- 投射電子線磁界トモグラフィ装置の開発(2003年度(23回)精密工学会技術賞)
- 電子線トモグラフィーによる記録ヘッド磁界の時間応答測定
- 電子線トモグラフィを用いた磁気ディスク装置用高速記録磁気ヘッドの開発
- 3D・4Dマテリアルサイエンス : その現状と展望
- X線マイクロトモグラフィー
- K吸収端差分法によるAl-Zn-Ca-Ti合金の3D元素マッピング
- アルミニウム合金中のミクロポアが延性破壊に及ぼす影響
- 熱アシスト記録用近接場光ヘッドの開発
- 不純物を抑制したMBE成長GaInNAs/GaAsレーザの特性(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- GaInNAsレーザ : GaInNAsレーザの現状と課題(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)