野口 紘希 | (株)東芝 研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
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概要
(株)東芝 研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー | 論文
- hp22 nm Node Low Operating Power(LOP)向けSub-10nmゲートCMOS技術(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
- 窒素高濃度極薄SiON膜のV_改善メカニズム(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 窒素の強凝集によるSi(100)窒化膜形成機構
- 高窒素濃度SiON膜のNBTI特性とその窒素起因の劣化メカニズム
- 次世代極薄ゲート酸窒化膜形成技術