大畠 賢一 | 日立デバイスエンジニアリング(株)

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概要

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日立デバイスエンジニアリング(株) | 論文

• フラッシュメモリ信頼性におけるフローティングゲート形状の影響
• 3V単一電源64Mビットフラッシュメモリ用AND型セル
• 2.5V電源フラッシュメモリにおける高精度基準電圧発生回路
• ビット線クランプ方式によるフラッシュメモリ高速読出し動作の検討
• フラッシュメモリにおける高効率高電圧並びに高精度基準電圧発生回路

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