中田 穣治 | 神奈川大理

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概要

• 同名の論文著者
• 神奈川大理の論文著者

関連著者

• 斎藤 保直

  神奈川大理

• 中田 穣治

  神奈川大理

• 中田 穣治

  神奈川大

• 服部 俊幸

  東京工業大学原子炉工学研究所

• 服部 俊幸

  Tokyo Inst. Technol. Tokyo Jpn

• 斎藤 保直

  Department of Information Science, Faculty of Science, Kanagawa University

• 中田 穣治

  Department of Information Science, Faculty of Science, Kanagawa University:To whom correspondence should be addressed

• 川崎 克則

  Tokyo Inst. Technol. Tokyo Jpn

• 中田 穣治

  Department of Information Science, Faculty of Science, Kanagawa University

• 川崎 克則

  Graduate School of Science and Engineering

• 服部 俊幸

  Research Laboratory of Nuclear Reactor.

• 星野 靖

  神奈川大理

• 横山 愛

  神奈川大理

• Ohno Shinich

  Department of Information Science, Faculty of Science, Kanagawa University

• Saitou Yasunao

  Department of Information Science, Faculty of Science, Kanagawa University

• Nakata Jyoji

  Department of Information Science, Faculty of Science, Kanagawa University

• Kawasaki Katsunori

  Graduate School of Science and Engineering TIT

• Hattori Toshiyuki

  RLNR TIT

• Ohno Shinich

  Department Of Information Science Faculty Of Science Kanagawa University

• 有馬 広記

  神奈川大理

• Nakata Jyoji

  Graduate School of Science and Engineering TIT

• 中田 穣治

  RLNR TIT

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著作論文

• イオン注入したダイヤモンド半導体のMeV 級イオンビーム照射による電気的活性化の研究－ 高品質ダイヤモンド薄膜の形成と評価の研究（３）－
• 中電流型イオン注入装置の導入
• 多目的分析装置の立ち上げ
• イオン注入したダイヤモンド半導体のMeV級イオンビーム照射による電気的活性化の研究 : 高品質ダイヤモンド薄膜の形成と評価の研究(2)
• Analysis of Electrode Materials for Diamond Semiconductors using RBS and PIXE Methods(By a grant of Research Institute for Integrated Science, Kanagawa University)
• 23pPSB-31 SiO_2膜中への高温イオン注入により形成したFeナノ微粒子からの単層カーボンナノチューブ成長(23pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 22aGQ-12 SiO_2/Si膜中ヘイオン注入されたFeの拡散・反応過程の研究(22aGQ 格子欠陥・ナノ構造(シリコン系材料),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))

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