堀田 将 | Semiconductor Equipment System Laboratory Hitachi Kokusai Electric Inc.
スポンサーリンク
概要
Semiconductor Equipment System Laboratory Hitachi Kokusai Electric Inc. | 論文
- 直線偏光Nd:YAGレーザーによる規則性配列微細Siドットの形成(半導体Si及び関連材料・評価)
- Increase of Dielectric Constant of an Epitaxial (100) Yttria-Stabilized Zirconia Film on (100) Si Substrate Deposited by Reactive Sputtering in the Metallic Mode : Surfaces, Interfaces, and Films
- HF+ヒドラジン溶液処理をしたエピタキシャル(100)ZrN/(100)Si構造上への(100)Ir薄膜の作製
- 高コヒーレント直線偏光パルスレーザービームによる結晶化Si薄膜の粒界位置制御
- Low Temperature Heteroepitaxial Growth of a New Phase Lead Zirconate Titanate Film on Si Substrate with an Epitaxial(ZrO_2)_(Y_2O_3)_x Buffer Layer