真田 克 | Necデバイス分析評価技術センター

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概要

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関連著者

• 真田 克

  Necデバイス分析評価技術センター

• 藤岡 弘

  大阪大学大学院 工学研究科

• 真田 克

  Nec デバイス評価技術研究所:大阪大学大学院 工学研究科

• 真田 克

  NEC分析評価センター

• 真田 克

  NEC 分析評価センター

著作論文

• Killer欠陥抽出の為の診断領域の定義 : IDDQ異常現象を用いた故障診断
• IDDQ異常現象を利用した配線ショート個所検出手法
• IDDQ異常現象を用いた, 多重故障を有するLSIの故障診断
• Iddq異常現象を用いた、故障ブロック内の故障箇所抽出
• Iddq異常テストベクタと論理情報を用いた単一故障を有するCMOSLSIの故障診断方式
• Iddq異常現象を用いたCMOS LSIの故障診断手法 (LSIの評価・解析技術特集) -- (ロジックLSIの故障・不良解析技術)
• Iddq異常現象を用いた、CAD利用によるCMOS論理回路の故障診断方式

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