Ploog K. | Max-planck-institut Fur Festkorperforschung

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概要

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関連著者

• Ploog K.

  Max-planck-institut Fur Festkorperforschung

• Ploog K.

  Max-Planck固体研

• FRONIUS H.

  Max-Planck-Institut fur Festkorperforschung

• 末元 徹

  東北大・科研

• 末元 徹

  東大・物性研

• 末元 徹

  東北大科研

• Fasol G.

  Cavendish Lab.

• Ploog K

  Max‐planck‐inst. Festkoerperforschung Stuttgart Deu

• Ploog Klaus

  Max-planck-institut Fur Festkorperforshung

• Kunzel H.

  Max-planck-institut Fur Festkorperforschung

• Schubert E

  Max‐planck‐inst. Festkoerperforschung Stuttgart Deu

• JUNG H.

  Max-Planck-Institut fur Festkorperforschung

• RUDEN P.

  Max-Planck-Institut fur Festkorperforschung

• Cardona M.

  Max-Planck固体研

• SCHUBERT E.

  Max-Planck-Institut fur Festkorperforschung

• Ploog K.

  Max-planck-institut Fur Festkorpergforschung

• Massies J.

  Laboratoire De Physique Du Solide Et Energie Solaire

• Contour J.

  Laboratoire De Physique Du Solide Et Energie Solaire

• Shubert E.F.

  Max-Planck-Institut fur Festkorpergforschung

• Fischer A.

  Max-planck-institut Fur Festkorperforschung

• Fronius H

  Max-planck-institut Fur Festkorperforschung

• 井須 俊郎

  Max-Planck固体研

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著作論文

• 27a-N-7 p型GaAs-AlAs量子井戸におけるホール波動関数の共鳴ラマン散乱による決定
• Tunable Photo- and Electroluminescence from GaAs Doping Superlattices : B-3: NOVEL DEVICES
• Interpretation of Capacitance-Voltage Profiles from Delta-Doped GaAs Grown by Molecular Beam Epitaxy
• An XPS Study of the Passivating Oxide Layer Produced on GaAs (001) Substrate by Heating in Air above 200℃ : Surfaces, Interfaces and Films
• The δ-Doped Field-Effect Transistor
• GaAs Substrate Preparation for Oval-Defect Elimination during MBE Growth
• 29p-LD-12 GaAs-AlAs短周期超格子における共鳴ラマン散乱(半導体)

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