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高橋 真史 | 東芝 Soc研開セ
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東芝 Soc研開セ | 論文
SOI/Bulkハイブリッド基板を用いた高性能SoC実現のためのDRAM混載技術
ベース抵抗を低減したSOIラテラルBJT
自己整合外部ベース形成技術を用いた横型SOIバイポーラ素子
薄膜SOI素子におけるソース/ドレイン間リーク電流の解析
基板電位制御SOI技術を用いた0.5V、200MHz動作32ビットALUの設計
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