巌 庄一 | 日本電気(株)ULSIデバイス開発研究所

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概要

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• 同名の論文著者
• 日本電気(株)ULSIデバイス開発研究所の論文著者

日本電気(株)ULSIデバイス開発研究所 | 論文

• FN-NOR型4値セルを用いた98mm^2、64Mbフラッシュメモリ
• ロジック混載用フラッシュメモリセルの検討
• 不揮発性メモリとそのスケーリング
• 2段階消去法によるフラッシュメモリ消去しきい値制御
• SOI基板で増速酸化が生じる臨界Cu汚染量

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