鈴木 一行 | 産業技術総合研究所セラミックス研究部門
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概要
関連著者
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鈴木 一行
産業技術総合研究所セラミックス研究部門
-
三木 健
産総研
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加藤 一実
産総研
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鈴木 一行
産総研
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西澤 かおり
産総研
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符 徳勝
産総研
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符 徳勝
産業技術総合研究所セラミックス研究部門
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加藤 一実
産業技術総合研究所セラミックス研究部門
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鈴木 一行
名工研
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西澤 かおり
名工研
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三木 健
名工研
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加藤 一実
名工研
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西澤 かおり
産業技術総合研究所セラミックス研究部門
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三木 健
産業技術総合研究所セラミックス研究部門
著作論文
- AFMによるBi系強誘電体薄膜における自発分極配向の画像化
- プロセス技術開発 テーラードリキッドソースによる酸化チタン多孔質膜の成膜技術
- 3L06 CaBi_4Ti_4O_ 強誘電体薄膜の構造と特性に対する Pt 電極の影響
- 3L01 化学溶液法による (Y, Yb) MnO_3/Insulator/Si の作製
- 3H08 有機物を添加したゾルを用いた酸化チタン多孔質膜の作製
- 3H04 紫外線を照射して作製したジルコニア薄膜の結晶性・表面微構造に対する基板と照射波長の影響
- シリコン半導体上におけるビスマス系層状構造強誘導体のリキッドソースを用いたケミカルアプローチ(セラミックスインテグレーション)
- 2G06 紫外線照射によるケミカルプロセスにより作製した ZrO_2 薄膜の表面微構造制御
- 1G24 ポリエチレングリコールを含有するゾルを用いた酸化チタン多孔質膜の作製
- 1F22 アルコキシド溶液法により作製した (Y, Yb)MnO_3 薄膜における組成の影響
- 1E04 アルコキシド法による Pt 下部電極付 Si 基板上へのCa_2Bi_4Ti_5O_ 強誘電体薄膜の作製
- 2I05 金属アルコキシドを用いた YMnO_3 薄膜の合成
- 1E20 トリプルアルコキシドから調製した CaBi_2Ta_2O_9 強誘電体薄膜の電気的特性
- 高表面積を有する酸化チタン膜の作製