AFMによるBi系強誘電体薄膜における自発分極配向の画像化
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概要
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強誘電体薄膜における局在的なドメインの解明や制御のために、逆圧電効果に基づく走査型原子力顕微鏡(Piezo-Scanning Force Microscope)システムを構築した。この方法では、針を通して強誘電体材料に交流電圧を印加することによって、操作中の針の変位が変調され、その変調信号がロックインアンプによって検知されることにより、ドメインの配向の情報を得ることが出来る。この方法により、強誘電体メモリの応用に有望な材料であるCaBi_4Ti_4O_15薄膜におけるドメインの局在的な状態を調べることができた。
- 2002-03-08
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