吉野 明 | 日本電気(株)ULSIデバイス開発研究所

スポンサーリンク

概要

• 吉野 明の詳細を見る
• 同名の論文著者
• 日本電気(株)ULSIデバイス開発研究所の論文著者

日本電気(株)ULSIデバイス開発研究所 | 論文

• FN-NOR型4値セルを用いた98mm^2、64Mbフラッシュメモリ
• ロジック混載用フラッシュメモリセルの検討
• 不揮発性メモリとそのスケーリング
• 2段階消去法によるフラッシュメモリ消去しきい値制御
• SOI基板で増速酸化が生じる臨界Cu汚染量

もっと見る

スポンサーリンク