MOVPE法によるサファイア基板上へのm面GaNの成長
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
- Si基板上高品質AlNテンプレートの開発
- ELO-AlNテンプレート上に作製した270nm帯AlGaN紫外LED(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- 280nm帯InAlGaN高出力紫外LED(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- MOVPE法によるサファイア基板上へのm面GaNの成長
- ELO-AlNテンプレート上に作製した270nm帯AlGaN紫外LED(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- 280nm帯InAlGaN高出力紫外LED(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- ELO-AlNテンプレート上に作製した270nm帯AlGaN紫外LED(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- 280nm帯InAlGaN高出力紫外LED(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- ELO-AlNテンプレートを用いたSi基板上AlGaN系UV-LEDの256nm発光(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
- 2インチ×3枚対応MOCVDを用いた260nm帯AlGaN系UV-LEDの開発(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
- ELO-AlNテンプレートを用いたSi基板上AlGaN系UV-LEDの256nm発光(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
- 2インチ×3枚対応MOCVDを用いた260nm帯AlGaN系UV-LEDの開発(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
- ELO-AlNテンプレートを用いたSi基板上AlGaN系UV-LEDの256nm発光(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
- 2インチ×3枚対応MOCVDを用いた260nm帯AlGaN系UV-LEDの開発(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)