高性能半導体デバイス用Siアニールウェハの技術動向
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
- 第一原理計算によるDSB接合界面のゲッタリング特性 : 金属不純物ゲッタリング効果
- 1804 シリコンウェーハアニールプロセスへのスリップシミュレーションの適用 : その2(OS18. シリコンとシミュレーション,オーガナイズドセッション講演)
- 1605 シリコンウェーハアニールプロセスへのスリップシミュレーションの適用(OS16.シリコン強度とシミュレーション,オーガナイズドセッション)
- 1604 FEMによるシリコンウェーハ熱処理時のスリップ発生の予測(OS16.シリコン強度とシミュレーション,オーガナイズドセッション)
- 高性能半導体デバイス用Siアニールウェハの技術動向
- 1406 Si(110)/(100)界面に関する第一原理解析(OS14.シリコンとシミュレーション(2),OS・一般セッション講演)