オージェ電子分光法及び低速電子線回折法によるC2H4暴露したSi(110)表面の初期炭化過程
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
- 走査型トンネル顕微鏡を用いたSi(001)表面の観察
- Si(100)-(2×1) 表面の初期酸化過程における放出Si原子挙動の走査型トンネル顕微鏡観察
- Cr及びCu-Siコンタクト形成に基くショットキー障壁型交流表面光電圧の解析
- ゾル-ゲル法による高誘電率HfO2膜の基礎物性及び電気的特性
- Si(001)表面における極薄酸化膜の成長機構に関する考察
- Si(001)表面における極薄酸化膜の成長速度に及ぼすAl原子の影響
- 超薄片化水晶振動子の発振特性に関する研究
- Si(001)表面における金属不純物の自然酸化膜の成長に及ぼす影響
- 走査型トンネル顕微鏡によるSi(001)-(2×1)表面へのエチレン(C2H4)吸着の研究
- ゾル-ゲル法によるZrO2薄膜の作製プロセスと評価
- 光プローブを用いた酸化膜電荷の解析--交流表面光電圧/マイクロ波光伝導減衰装置の立ち上げと金属誘起酸化膜電荷密度の解析
- Cr故意汚染して熱酸化したn型Siの交流表面光電圧法による金属誘起電荷の解析
- ゾル溶液の違いによるゾル-ゲル法によるHfO2薄膜の評価
- Au析出Si表面におけるショットキー型交流表面光電圧の解析(半導体材料・デバイス)
- 走査型トンネル顕微鏡によるSi(111)-(7×7)及びSi(001)-c(4×4)再配列表面のエチレン(C2H4)吸着による表面構造の変化
- 走査型トンネル顕微鏡によるSi(111)-(7×7)再配列表面におけるCu吸着による表面構造の観察
- オージェ電子分光法及び低速電子線回折法によるC2H4暴露したSi(110)表面の初期炭化過程
- 陽極化成法により形成したTa2O5薄膜の電気的特性
- オージェ電子分光法による陽極化成Nb2O5薄膜及び金属/Ta2O5/Ta構造の深さ方向組成分析
- 交流表面光電圧計測装置によるSiウェーハ表面における酸化膜電荷の評価
- Si(001)表面における極薄酸化膜の成長機構に関する研究--コンタミネーション防止策と有害不純物の故意汚染法の確立
- Au/PMMA/Ta構造の電流--電圧特性と電気伝導
- 表面光電圧法による多結晶シリコン薄膜の結晶性評価
- 走査型プローブ顕微鏡の測定におけるプローブ形状と画像との関係
- X線光電子分光装置の立上げと酸洗浄を行なったSi表面の評価
- NH_4F水溶液でエッチしたSi(100)表面におけるFの挙動
- 放射光を利用した全反射蛍光X線分光法によるシリコンウェハ一表面の微量金属不純物の測定
- 低速電子線回折及びオージェ電子分光法によるC2H4暴露したSi(111)表面の研究
- C2H4を反応させたSi(111)表面のX線光電子分光法による研究
- 化学工業 半導体材料 (特集 2000年エネルギー・化学工業を展望する)
- Si(100)表面における酸素結合状態の加熱処理による変化
- X線光電子分光測定におけるSi熱酸化膜の帯電現象
- 超高真空中におけるシリコン単結晶表面の清浄化
- 表面光電圧を用いた新しい多結晶シリコン薄膜の結晶粒径評価法
- Au水溶液浸漬によるAu/n-Si(100)ショットキー障壁の形成