NH_4F水溶液でエッチしたSi(100)表面におけるFの挙動
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概要
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NH_4F水溶液でエッチしたSi(100)表面におけるFの結合状態, 及び大気放置による自然酸化膜成長中のFの振舞いについて, X線光電子分光法により調べた. NH_4F水溶液でエッチしたSi(100)表面からのF1sスペクトルは, HF水溶液浸漬表面からのそれと同様に, Si-F及びSi-F_2結合に相当する二つのガウス型波形に分離できた. NH_4F水溶液でエッチした表面におけるFの大部分はSi-F_2結合として存在する. この表面を大気放置した場合, 表面の自然酸化膜成長とともに, F1sピーク強度は増大して極大に達した後, 減少した. また, 二つのF1s分離成分の結合エネルギーは高エネルギー側にシフトした. このことから, FはSi表面のみではなく, 深さ方向の分布をもって存在していると考えられる. また, 大気放置による自然酸化膜の成長によって, Fの位置は酸化膜表面へ変化するものと考えられる.
- 1999-04-25
著者
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