半導体デバイスにおけるAl配線技術の課題と将来動向 (半導体デバイスにおけるコンタクト材料<特集>)

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概要

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• 日本金属学会の論文

著者

• 大西 隆

  神戸製鋼

関連論文

• Fe-Si合金上に形成するスケールの硬さおよび破壊靱性
• 28pYK-5 低速陽電子ビームによる配線用Cu合金薄眼中の格子欠陥の同定(X線・粒子線(陽電子),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• Si添加鋼の高温酸化とサブスケールの形態(表面処理・腐食)
• スケール微細構造と密着性に及ぼすCrおよび加熱条件の影響 (特集:線材・棒鋼)
• Fe-3Si合金の酸化初期に形成するスケールの性状
• Fe-Si合金の長時間酸化におけるスケールの性状
• 鉄鋼1次スケールの構造・密着性に及ぼすSi濃度の影響 (特集:微細組織制御技術)
• Fe-Si合金の長時間酸化
• Fe-Si合金の長時間酸化により形成されたスケールの機械的性質
• 微量のSiを添加したFeの高温酸化挙動
• 微量のSiを添加したFeに形成されるスケールの硬さおよびその際に発生するクラックの伝播
• Fe-3Si鋼上に形成されるノジュール状スケールの成長
• Fe-3Si合金上に生成するノジュール状スケールの微細構造
• 高圧アニールプロセスによる銅配線の微細溝への理込効果 (特集 電子・電気材料/機能性材料)
• 高圧アニールプロセスの半導体デバイス用デュアルダマシン銅配線形成への応用 (特集:薄膜技術)
• 27pXD-4 Sb添加Cu薄膜中の格子欠陥の陽電子消滅法による同定(27pXD 格子欠陥・ナノ構造(金属・電子状態・シミュレーション),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
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• 銀薄膜の耐食性に及ぼす合金元素添加効果 (特集:薄膜技術)
• 24aYM-4 配線用Cu薄膜中の格子欠陥の陽電子消滅法による同定(格子欠陥・ナノ構造,領域10(誘電体, 格子欠陥, X線・粒子線, フォノン物性))
• 液晶ディスプレイ用AI配線におけるボイド形成メカニズムとその抑制対策 (特集 電子・電気材料/機能性材料)
• 高圧アニールプロセスでの銅配線熱応力評価 (特集:薄膜技術)
• 液晶配線用Al合金薄膜のドライエッチ技術の開発 (特集:薄膜技術)
• スパッタリング・高圧リフロープロセスによるCu合金配線形成技術 (特集 これだけは知っておきたい最新の配線・実装材料技術)
• 後方散乱電子回折像法(EBSP法)によるY2O3添加ジルコニアの組織評価 (特集:微細組織制御技術)
• 解説 高分解能結晶方位解析法(FESEM/EBSP法)による薄膜材料の配向性評価 (特集:薄膜技術)
• 高圧アニールプロセスを用いて製造したCu配線へのEBSP技術の適用
• 高圧アニールプロセスを用いて製造したCu配線へのEBSP技術の適用 (〔日本電子材料技術協会〕第38回秋期講演大会--優秀賞受賞論文と受賞者の感想)
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