イオン注入により形成されるドーパントに絡んだ欠陥とそのドーパント種依存性

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 電子情報通信学会の論文
• 1999-09-28

著者

• 濱田 龍文

  東北大学大学院工学研究科

関連論文

• Si(100),(110)面上の極薄Si_3N_4-Si界面構造とその電気的特性
• 界面平坦化を行ったシリコン(110)面上に形成されたトランジスタの電気的特性(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
• 界面平坦化を行ったシリコン(110)面上に形成されたトランジスタの電気的特性(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
• Si(110)面を用いた低雑音バランスドCMOS技術(IEDM特集:先端CMOSデバイス・プロセス技術)
• 界面平坦化を行ったシリコン(110)面上トランジスタの電気的特性
• 界面平坦化を行ったシリコン(110)面上トランジスタの電気的特性(プロセスクリーン化と新プロセス技術)
• イオン注入により形成されるドーパントに絡んだ欠陥とそのドーパント種依存性
• イオン注入により形成されるドーパントに絡んだ欠陥とそのドーパント種依存性

スポンサーリンク