薄膜エピタキシャル成長プロセスにおけるステップ成長の異方性
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概要
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Anisotropic growth process of two kinds of steps on Al(111) substrates is performed using kinetic Monte Carlo (kMC) method. Employed kMC parameters of activation energy and attempt frequency are estimated by nudged elastic band (NEB) method and transition state theory. Obtained set of results suggest that degree of the anisotropic growth clearly depends on substrate temperature and deposition rate. We find microscopic origin of the anisotropic growth is difference of diffusion rates along {111} and {100} steps, and there is a particular growth condition in which strong anisotropy is observed. At high deposition rate and low temperature, new islands which are easily generated on terraces, hinder the growth anisotropy weaker.
- 日本材料学会の論文
著者
-
尾方 成信
大阪大学大学院基礎工学研究科
-
山本 昌裕
大阪大学大学院工学研究科機械工学
-
國澤 康平
大阪大学大学院工学研究科機械工学
-
渋谷 陽二
大阪大学大学院工学研究科
-
山本 昌裕
大阪大学大学院
-
國澤 康平
大阪大学大学院
-
渋谷 陽二
大阪大学大学院
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