Al粒界近傍のストレスマイグレーションの分子動力学解析
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概要
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Stress-induced migration near the grain boundary in Al thin interconnect is studied by means of an ab initio molecular dynamics simulation formulated on the basis of the effective-medium theory. The consistent grain boundary model is used, whose geometry is characterized by Σ-value. It is shown that besides Σ-value, existence of high-energy sites near the grain-boundary is an important factor which promotes nucleation and growth of voids. In the bulk state, grain boundary decohesion due to coalescence of voids is dominant in the high-boundary-energy case, and growth of a small number of voids leads to breakage of the Al wire with the grain boundary of low energy and high consistency. If there exists a free surface, marked decrease in thickness near the grain boundary occurs and a narrow groove develops in the high-energy case.
- 一般社団法人日本機械学会の論文
- 1996-03-25
著者
-
中谷 彰宏
大阪大学工学研究科
-
尾方 成信
大阪大学大学院基礎工学研究科
-
北川 浩
大阪大学工学部機械工学科
-
中谷 彭宏
大阪大学大学院工学研究科知能・機能創成工学
-
前川 幸弘
松下電器産業(株)
-
尾方 成信
大阪大学工学部
-
斎藤 賢一
大阪大学大学院
-
北川 浩
大阪大学工学部
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