ホール素子特性における応力依存性の検討
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概要
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Test devices for evaluating the stress effect on Hall element have been designed and fabricated using a simple SOI-MEMS process, where a Hall element is incorporated onto a micromachined cantilever together with floating electrodes connecting the input/output terminals of the Hall element. The predetermined stress was applied by pushing down the tip of the cantilever using a stimulus attached to the XYZ manipulator. The test devices of <110> and <100> directions were measured, whose magnetic sensitivities were increased by 6.5% and 12%, respectively, by applying the stress of 218 MPa. These experimental results agreed reasonably with the calculated values using a simple model.
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