電子衝撃脱離法による固体表面の研究 (I)
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
- 分子線エピタキシー法によるInP/GaAsの成長 : エピタキシー
- GaAsの分子線エピタキシャル成長 : 融液成長と蒸着膜
- 23p-N-6 Si, Mo及びWの表面準位からの光電子放出
- 31a-J-4 Si(111)清浄表面における表面準位とH化学吸着
- 電子衝撃脱離法による固体表面の研究 (II)
- 電子衝撃脱離法による固体表面の研究 (I)
- オージェ電子分光と電子衝撃脱離法
- 15p-E-1 低速電子照射によるタングステン表面からのイオン放出機構の解析
- 低速電子線照射による固体表面からのイオンの放出に関する最近の研究