15p-E-1 低速電子照射によるタングステン表面からのイオン放出機構の解析
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1969-11-15
著者
関連論文
- 23p-N-6 Si, Mo及びWの表面準位からの光電子放出
- 電子衝撃脱離法による固体表面の研究 (II)
- 電子衝撃脱離法による固体表面の研究 (I)
- オージェ電子分光と電子衝撃脱離法
- 15p-E-1 低速電子照射によるタングステン表面からのイオン放出機構の解析
- 低速電子線照射による固体表面からのイオンの放出に関する最近の研究