室谷 利夫 | 三菱電機中央研究所

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著作論文

• 分子線エピタキシー法によるInP/GaAsの成長 : エピタキシー
• 23p-N-6 Si, Mo及びWの表面準位からの光電子放出
• 電子衝撃脱離法による固体表面の研究 (I)
• オージェ電子分光と電子衝撃脱離法

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