ジョセフソン素子用MgO/NbNエピタキシャル薄膜
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概要
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The epitaxial growth of NbN films deposited on rf-sputtered MgO films have been prepared by rf-magnetron sputtering in N<SUB>2</SUB>/Ar atomosphere. These epitaxially growth films of (200)<SUB>Mgo</SUB>//(200)<SUB>NbN</SUB> orientation were formed on various kinds of substrates. The reactively sputtered NbN on MgO films had high critical temperature. The <I>T<SUB>c</SUB></I> value of NbN (25nm) /MgO (80nm) film is about 15.7 K. Also all-refractry Josephson tunnel junctions were formed without breaking vacuum, producing the epitaxially growth NbN/MgO/NbN sandwitch on MgO thin films on unoxidized Si substrate. The epitaxial junction has the high sum-gap voltage, and shows excellent <I>I-V</I> characteristics.
- 日本真空協会の論文
著者
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山下 努
長岡技術科学大学工学部
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上田 公大
長岡技術科学大学・工学部・電気系
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浜崎 勝義
長岡技術科学大学・工学部・電気系
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山田 功
長岡技術科学大学・工学部・電気系
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小俣 虎之助
長岡技術科学大学・工学部・電気系
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肥留川 洋一
日電アネルバ株式会社・薄膜技術部
-
肥留川 洋一
日電アネルバ株式会社
-
山下 努
長岡技術科学大学
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