Ni内部電極積層セラミックコンデンサの信頼性に及ぼすSiO<SUB>2</SUB>の影響
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概要
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Degradation behavior of insulation resistance of BaTiO<SUB>3</SUB> based Ni-electrode multilayer ceramic capacitors has been studied with special reference to the dielectric composition and grain boundary chemistry. The degradation behavior shows clear dependence on A/B of grain boundary layer. It is shown that SiO<SUB>2</SUB> extracts BaO and Cat) from (Ba<SUB>1</SUB>-<SUB>X</SUB>Ca<SUB>X</SUB>O)<SUB>m</SUB>(Ti<SUB>1</SUB>-<SUB>Y</SUB>Zr<SUB>Y</SUB>O<SUB>2</SUB>) and then A/B of grain boundary layer become less than the unity. We have developed high capaci-tance multilayer ceramic capacitors as 10.5μF in 3216 type with superior reliability, using newly developed dielectric material, (BaO)<SUB>m</SUB>(Ti<SUB>1</SUB>-<SUB>Y</SUB>Zr<SUB>Y</SUB>O<SUB>2</SUB>)+aMnO+bY<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>+cV<SUB>2</SUB>O<SUB>5</SUB>+dWO<SUB>3</SUB> (Y=0.18, m=1.004, a=0.2wt%, b=0.3wt%, c=0.04wt%, d=0.05wt%).
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