MgZnフェライトの電気伝導機構 (<特集>ソフト材料)
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概要
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The resistivity of polycrystalline MgZn-ferrites (Mg_<1.8-x> Zn_<0.2>Fe_<1+x>O_4, 0.79≦x≦1.23) was measured in the temperature range 293-393 K. It showed a maximum value near the stoichiometric composition. Analysis by complex impedance spectroscopy indicated that a potential barrier exists at the grain boundary in stoichiometric composition. According to TEM analysis, the silica concentration at the grain boundaries was higher than the silica concentration of grains. Actually, the resistance at the grain boundaries is one of order magnitude higher than the resistance of grains. This result supports the findings of both complex impedancd spectroscopy analysis and TEM.
- 社団法人日本磁気学会の論文
- 1997-04-15
著者
-
野村 武史
Tdk(株)基礎材料研究所
-
野村 武史
Tdk(株)
-
村瀬 琢
TDK(株)基礎材料研究所
-
村瀬 琢
Tdk 材料・プロセス技術開発セ
-
村瀬 琢
Tdk(株)材料・プロセス技術開発センター
-
五十嵐 克彦
TDK(株)基礎材料研究所
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