CVD・SiC-C傾斜機能材料の合成と耐熱衝撃性
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概要
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Thermal stress calculated in SiC/C⋅FGM was considerably smaller than that of SiC monolith. The preparation of SiC/C⋅FGM, having the graded concentration predicted from the calculation, was tried by using CVD technique under the following conditions; a SiCl<SUB>4</SUB>-CH<SUB>4</SUB>-H<SUB>2</SUB> system, a deposition temperature of 1773K, total gas pressure of 1.3kPa. The film(thickness of 0.4mm) having a compositional gradient from C to SiC was obtained on a graphite substrate by changing the Si/C ratio in the gas phase during the deposition. Many small pores were observed in the range of 40-60 mol%C. SiC/C⋅FGM was not broken under cyclic high temperature heat flow conditions (heat flux=0.7MW⋅m<SUP>-2</SUP>), but SiC monolith was broken under the same conditions.
- 社団法人 粉体粉末冶金協会の論文
著者
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佐々木 眞
室蘭工業大学工学部材料物性工学科
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橋田 俊之
東北大学 大学院工学研究科 附属破壊制御システム研究施設
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高橋 秀明
東北大学 工学部
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佐々木 眞
東北大学 金属材料研究所
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王 雨叢
東北大学 金属材料研究所
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大久保 昭
東北大学 金属材料研究所
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平井 敏雄
東北大学 金属材料研究所
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橋田 俊之
東北大学 工学部
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