超臨界流体中アニールによるめっき銅膜の改質

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る

著者

• 山本 智彦

  (株)東レリサーチセンター形態科学研究部

• 上野 和良

  芝浦工業大学

• 島田 裕至

  芝浦工業大学

• 青木 和慶

  芝浦工業大学

• 蓬田 茂

  KISCO(株)

• 赤堀 誠至

  (株)東レ リサーチセンター

• 山口 貴雅

  芝浦工業大学

• 松山 亜紀子

  KISCO(株)

• 矢田 隆司

  KISCO(株)

• 橋本 秀樹

  (株)東レ リサーチセンター

関連論文

• 超臨界流体中アニールによるめっき銅膜の改質
• 低誘電率層間絶縁膜(Low-k 膜)の物性評価
• 超臨界流体中アニールによるめっき銅膜の改質
• ISSG膜の構造解析
• 分析電子顕微鏡を用いた半導体材料の局所構造解析
• 半導体デバイスにおける多層配線技術の進展と今後の展開
• SIMSによる high-k ゲート絶縁膜の高信頼性分析
• 半導体集積回路の配線に用いる銅めっき膜の不純物

スポンサーリンク