分析電子顕微鏡を用いた半導体材料の局所構造解析
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
微細化が進み, 原子・ナノオーダーの構造制御が要求される各種半導体デバイスの局所評価に透過型電子顕微鏡法(TEM)及び分析電子顕微鏡法(AEM)を適用した. 試料としてSi-M0S型トランジスタのゲート電極部, 液晶ディスプレイ用途の薄膜トランジスタ(TFT)a-Si/SiNx界面, GaAsショットキー・ゲート電界効果トランジスタ(GaAs-MESFET)などを用い, 特定部位界面の断面微細形態を観察し, 同領域での組成・電子構造解析を試みた. 電界放射型電子銃(HEG)を有するAEMのナノプローブを用いたナノ-EDX法, ナノ-EELS法により形態だけでなくより多面的な構造解析が実施できることを示す.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-07-15
著者
-
山本 智彦
(株)東レリサーチセンター形態科学研究部
-
谷井 義治
(株)東レリサーチセンター
-
大塚 祐二
株式会社東レリサーチセンター
-
大塚 祐二
(株)東レリサーチセンター
-
山本 智彦
(株)東レ リサーチセンター
-
谷井 義治
株式会社東レリサーチセンター
-
村田 幸夫
(株)東レリサーチセンター形態科学研究部
-
川野 健司
(株)東レリサーチセンター形態科学研究部
-
堀井 誠一郎
(株)東レリサーチセンター形態科学研究部
-
川野 健司
株式会社東レリサーチセンター
-
堀井 誠一郎
株式会社東レリサーチセンター
関連論文
- ナノ領域の観察技術の最前線
- 225 無電解 Ni-P/Au めっきと Sn-Ag 系鉛フリーはんだの界面反応層と接合部強度
- 低誘電率 (low-k) 材料のEELSによる局所構造解析
- 超臨界流体中アニールによるめっき銅膜の改質
- 超臨界流体中アニールによるめっき銅膜の改質
- TEMトモグラフィを用いた燃料電池電極の三次元構造評価
- 有機材料・触媒材料に対するTEM技術の活用 (特集 産業界での電子顕微鏡利用法と将来技術)
- 3次元電子顕微鏡による電極触媒層の性能・劣化評価技術の開発 (特集 PEFCの特性予測・観測・評価)
- 無電解Ni-P/AuめっきパッドとSn-Ag系鉛フリーはんだの界面構造と接合部強度
- ISSG膜の構造解析
- 固体高分子形燃料電池に用いられる白金担持カーボンの白金触媒三次元分布
- 分析電子顕微鏡を用いた半導体材料の局所構造解析
- 電子線ナノプローブを用いた局所領域のEELS解析
- V. デバイス, デバイス材料 磁気デバイスの断面観察
- 固体高分子形燃料電池に用いられる白金担持カーボンの白金触媒三次元分布
- 低誘電率材料の価電子EELSを用いた誘電率測定
- 低誘電率材料の価電子EELSを用いた誘電率測定
- 26pJB-9 Si(001)表面上に成長したFeシリサイドナノシートのTEM観察(表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))