ご挨拶 : 佐々木亘教授

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 東京大学理学部,東京大学理学部 物理の論文

著者

• 佐々木 亘

  東邦大理

関連論文

• Sm_3Se_4の低温比熱(IX. Sm_3Se_4の物性,価数揺動状態の総合的研究,科研費研究会報告)
• Sm_3Se_4の磁性と伝導(IX. Sm_3Se_4の物性,価数揺動状態の総合的研究,科研費研究会報告)
• CeB_6の低温比熱(II. CeB_6の特性,価数揺動状態の総合的研究,科研費研究会報告)
• 4a-S-6 (DCNQI)_2Cuのリエントラント領域における電子状態II
• 28a-YJ-1 (DCNQI)_2Cuのリエントラント領域における電子状態
• 29p-T-3 補償されたSi:PのNMR III
• 26a-P-2 補償されたSi:PのNMR II
• 28a-J-9 (DMe-DCNQI)_2Cuの圧力下のNMR
• 28p-ZC-1 補償されたSi:Pのスピン格子緩和時間
• 30p-M-13 DCNQI-Cu塩の帯磁率の圧力効果
• 27a-W-3 補償されたSi:PのNMR
• 29a-M-5 Si:Pの希釈冷凍機温度域におけるNMR
• 24p-ZA-9 (MeCl-DCNQI)_2CuのCuのNMR
• 4p-WB-1 Si:Pの不純物伝導と格子欠陥-5
• 13a-D-9 不純物補償とアンダーソン局在
• 12p-K-5 5.不純物半導体の実験
• 14a-E-2 速中性子照射によって補償したSi:Pの伝導
• 30a-HE-4 Zn薄膜の超伝導とアンダーソン局在II
• 27a-HE-2 金属微粒子を用いた熱交換器の作製
• 29p-N-2 n型金属型Geの低温磁気抵抗の異方性 II
• 2p-H-7 超伝導微粒子の核断熱消磁 II
• 2a-C-3 Zn薄膜の超伝導とアンダーソン局在
• 1a-B-2 金属型n型ゲルマニウムの低温における磁気抵抗の異方性
• 1a-Pβ-17 金属型Ge:Sbの低温磁気抵抗
• 1p-L-3 微粒子薄膜の電気伝導II
• 30a-K-11 中間濃度域Ge:Sbの低温電気伝導
• 31a-Q-10 超伝導微粒子の核断熱消磁 I
• 31a-Q-8 二次元的結合銅微粒子系の電気伝導
• 6p-B1-5 中性子照射Si:Pの金属-非金属転移III
• 30p-RB-8 Si: P補償系の金属-非金属転移
• 30p-RB-7 Si: P補償系の比熱
• 3p-H-4 超流動^4He薄膜の非線型波の実験 III
• 30a-L-7 超流動^4He薄膜のK-T転移
• 2p-Q-5 He膜の非線型波の実験II
• 3p-M-4 DCNQI-Cu系の低温構造と圧力下の電導性
• 28p-ZF-2 (DMe-DCNQI)_2CuのNMR
• 日本金属学会編, 半導体と半金属, 基礎と応用. アグネ技術センター, 東京, 1990, 534p., 21.5×15.5 cm, 8,240円 (金属物性基礎講座, 6) [大学院向教科書]
• 28a-QA-13 θ型 (BEDT-TTF)_2I_3の高磁場磁気抵抗
• 28a-QA-12 β"型 (BEDT-TTF)_2AuBr_2の電気伝導特性
• 28a-QA-3 θ型(BEDT-TTF)_2(I_3)_X_x (X=AuI_2, I_2Br_2…) の超伝導
• 3p-P-8 BMDT・TTF-TCNQの電気伝導
• 3p-P-7 BMDT-TTF・TCNQの結晶構造
• 3p-P-6 DSeDTeTのカチオンラジカル塩の電気伝導
• 3p-P-5 DSeDTeTのカチオンラジカル塩の合成と構造
• 5a-M-3 液体ヘリウム膜上の二次元電子 II
• 3p-RM-15 液体ヘリウム膜上の二次元電子系
• 1p-KH-3 Si:Pの不純物伝導と格子欠陥
• 13a-D-10 固体ネオン上の高密度二次元電子-II
• 30a-HE-6 ビスマス薄膜におけるアンダーソン局在
• 30a-HE-5 鎮状Ni微粒子系の低温電気伝導
• 27p-HE-4 液体ヘリウム薄膜上の電子
• 29p-N-1 電気伝導と局在
• ご挨拶 : 佐々木亘教授
• 31a-Q-11 超伝導スズ微粒子のNMR : Knight shift
• 2a-C-4 微粒子薄膜の電気伝導 IV : 磁性不純物効果
• 2a-C-1 固体ネオン上の高濃度二次元電子系
• 日本物理学会編: ランダム系の物理学, 培風館,東京, 1981, xii+317ページ, 21.5×15.5cm, 3,950円.
• 30p-L-14 固体ネオン上の電子系
• 2p-NF-7 固体イオンに吸着されたヘリウム薄膜上の2次元電子
• 31a-Q-7 超伝導微粒子の2次元 random Josephson network
• 3p-J-4 超伝導微粒子の2次元Josephson network
• 30p-JF-7 有機伝導体(VT)_2PF_6の電気伝導(分子性結晶・液晶・有機半導体)
• 2p-G4-7 有機金属の特異な磁気抵抗(分子性結晶・液晶・有機半導体)
• 1p-PS-137 Pbを添加したLa_2CuO_4の電気伝導と帯磁率(低温(酸化物超伝導体))
• 30p-JF-6 新しい有機超伝導体κ型(BEDT-TTF)_2I_3(分子性結晶・液晶・有機半導体)
• 30p-JF-5 θ-(BEDT-TTF)_2I_3の磁気抵抗(分子性結晶・液晶・有機半導体)
• 1a-G4-10 VT_2CIO_4の電気伝導(分子性結晶・液晶・有機半導体)
• 2p-G4-10 新しい有機超伝導体 : [(Ch3)_4N][Ni(dmit)_2]_2(分子性結晶・液晶・有機半導体)
• 28p-P-13 ジグザグ型分子配列をもった有機伝導体の磁気抵抗(28pP 分子性結晶・液晶・有機半導体(BEDT-TTF塩))
• 3p-D1-1 Si:Pの不純物伝導と格子欠陥-3(3p D1 半導体(輸送現象・ホットエレクトン・黒リン),半導体)
• 30p-FB-9 Si:Pの不純物伝導と格子欠陥-6(30p FB 半導体(光物性,深い不純物,輸送現象.ホットエレクトロン))
• 31p-D-6 θ-(BEDT-TTF)_2I_3の低温磁気抵抗(31p D 磁性(遷移金属合金,化合物,遍歴電子磁性,その他))
• 29p-EA-12 BMDT・TTF-TCNQの電気伝導度の圧力依存性(29p EA 分子性結晶・液晶・有機半導体)
• 3a-D1-4 二次元古典電子系の電気伝導(3a D1 半導体(輸送現象・ホットエレクトロン),半導体)
• 3p-D1-2 Si:Pの不純物伝導と格子欠陥-4(3p D1 半導体(輸送現象・ホットエレクトン・黒リン),半導体)
• 29p-EA-13 DSeDTeTカチオンラジカル塩の電気伝導度の圧力依存性(29p EA 分子性結晶・液晶・有機半導体)

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク