3a-D1-13 LPE-Hg_<1-x>Mn_xTeにおける過剰キャリヤーの磁気フォノン共鳴再結合(3a D1 半導体(輸送現象・ホットエレクトロン),半導体)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 一般社団法人日本物理学会の論文
- 1985-03-31
著者
-
滝田 宏樹
筑波大・物質工
-
一法師 隆志
筑波大・物質工
-
升田 公三
筑波大・物質工
-
鈴木 東
筑波大・物質工
-
内野 俊
筑波大物質工
-
内野 俊
筑波大・物質工
-
Uchino T
Hitachi Ltd. Tokyo Jpn
-
Uchino Takashi
Institute Of Materials Science University Of Tsukuba
関連論文
- 29a-A-7 Hg_Cd_xTeのキャリアー再結合過程と共鳴再結合による磁気量子振動II
- 1a-R-9 GaPの高速イオン励起2次電子
- 3a-F-7 Hg_Cd_xTeのオージェ再結合による磁気量子振動
- 3p-Q-4 Hg_Cd_xTeの磁気フォノン共鳴の異常な温度変化
- 3p-Q-3 電場励起過剰キャリアーのオージェ再結合による磁気量子振動II
- 1a-KC-10 電場励起過剰キャリアーのオージェ再結合による磁気量子振動
- 14a-E-19 LPE-HgTeにおけるホットエレクトロンの磁気フォノン共鳴
- Magnetophonon Resonance Recombination of Heated Carriers with Emission of Two TA Phonons in LPE-Hg_Mn_xTe
- Anisotropic Upper Critical Fields of Orthorhombic Single Phase YBa_2Cu_3O_ Studied Using Preferentially Oriented Pellets
- 4a-A2-11 LPE-Hg_Cd_xMn_yTeの磁気フォノン共鳴再結合
- 26a-G-1 HgTeをベースとした希薄磁性半導体のLPE成長と強磁場電気伝導
- 29a-A-6 HgTeをベースとした混晶半導体のLPE成長と強磁場電気伝導
- 3a-F-6 LPE-Hg_M_Teにおける過剰キャリヤーの磁気フォノン共鳴再結合II
- 27p-PS-51 RBa2Cu_3O_(R=Y, Nd, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb)の上部臨界磁場とその異方性
- Process and Device Technologies for High Speed Self-Aligned Bipolar Transistors
- Superconductivity Transition in High-T_c Y-Ba-Cu-O Mixed-Phase System
- 14a-E-16 LPE-HgTeの不純物状態と磁気抵抗変化の高感度測定
- 14a-E-17 プラズモン-フォノン結合モードとHgTeの磁気フォノン共鳴
- 3a-F-8 Hg_Cd_xTeの磁気フォノン共鳴の異常な温度変化II
- Experimentally Proven Equation for the Collector-Depletion-Layer Transit Time of npn Bipolar Transistors
- 30p-LD-2 Hg_CdxTeのキャリア再結合過程と共鳴再結合による磁気量子振動 III(半導体)
- 1p-PS-54 新しい固溶体系R_Ba_Cu_3O_(R=Nd,Sn,Eu)の結晶構造と超伝導特性(低温(酸化物超伝導体))
- 30p-LD-3 Hg_MnxTeのLPE成長と強磁場電気伝導(半導体)
- 30p-LD-4 横磁気ゼーベック係数の異常に大きな磁気フォノン振動(半導体)
- 3a-D1-13 LPE-Hg_Mn_xTeにおける過剰キャリヤーの磁気フォノン共鳴再結合(3a D1 半導体(輸送現象・ホットエレクトロン),半導体)
- 31p-FB-3 Hg_Cd_xTeのキャリアー再結合過程と共鳴再結合による磁気量子振動(31p FB 半導体(磁性半導体,ナローギャップ))
- 31a-A5-10 高速イオン励起オージェ電子の固体内減速スペクトル(31a A5 放射線物理)
- 31p-FB-2 HgTeをベースとした半磁性半導体のLPE成長と電流磁気効果(31p FB 半導体(磁性半導体,ナローギャップ))
- 1p-D1-12 Hg_Mm_xTeのLPE成長(1p D1 半導体(アモルファス・ナローギャップ),半導体)
- 31p-FB-1 LPE-Hg_Mn_xTeにおける過剰キャリヤーの磁気フォノン共鳴再結合III(31p FB 半導体(磁性半導体,ナローギャップ))
- 31a-G-1 HgTeベース混晶半導体のLPE成長とその磁気フォノン共鳴再結合(31aG 半導体(ナローギャップ,擬一次元系))
- 1a-L2-1 Hg_Cd_xMn_yTeのLPE成長と電流磁気効果(半導体,(表面・界面・超格子))