30p-LD-3 Hg_<1-x>MnxTeのLPE成長と強磁場電気伝導(半導体)

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 一般社団法人日本物理学会の論文
• 1987-03-27

著者

• 加藤 英生

  筑波大・物質工

• 滝田 宏樹

  筑波大・物質工

• 升田 公三

  筑波大・物質工

• 内野 俊

  筑波大物質工

• 内野 俊

  筑波大・物質工

• 牛膓 哲雄

  筑波大・物質工

• Uchino T

  Hitachi Ltd. Tokyo Jpn

• Uchino Takashi

  Institute Of Materials Science University Of Tsukuba

• 栗林 均

  筑波大・物質工

関連論文

• 27p-PS-60 Ln_Ba_Cu_3O_(Ln=Pr及びその他)の合成条件、構造と超伝導
• 27p-PS-52 RBa_2Cu_3O_lt:7-δ>の超伝導特性と結晶構造
• 29a-A-7 Hg_Cd_xTeのキャリアー再結合過程と共鳴再結合による磁気量子振動II
• 1a-R-9 GaPの高速イオン励起2次電子
• 3a-F-7 Hg_Cd_xTeのオージェ再結合による磁気量子振動
• 3p-Q-3 電場励起過剰キャリアーのオージェ再結合による磁気量子振動II
• 1a-KC-10 電場励起過剰キャリアーのオージェ再結合による磁気量子振動
• 14a-E-19 LPE-HgTeにおけるホットエレクトロンの磁気フォノン共鳴
• Magnetophonon Resonance Recombination of Heated Carriers with Emission of Two TA Phonons in LPE-Hg_Mn_xTe
• Anisotropic Upper Critical Fields of Orthorhombic Single Phase YBa_2Cu_3O_ Studied Using Preferentially Oriented Pellets
• 4a-A2-11 LPE-Hg_Cd_xMn_yTeの磁気フォノン共鳴再結合
• 26a-G-1 HgTeをベースとした希薄磁性半導体のLPE成長と強磁場電気伝導
• 29a-A-6 HgTeをベースとした混晶半導体のLPE成長と強磁場電気伝導
• 3a-F-6 LPE-Hg_M_Teにおける過剰キャリヤーの磁気フォノン共鳴再結合II
• 27p-PS-53 高T_c超伝導体RBa_2Cu_3O_(R=Y, Nd, Sm, Eu, Gd, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu)の合成
• 27p-PS-51 RBa2Cu_3O_(R=Y, Nd, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb)の上部臨界磁場とその異方性
• Process and Device Technologies for High Speed Self-Aligned Bipolar Transistors
• Superconductivity Transition in High-T_c Y-Ba-Cu-O Mixed-Phase System
• 14a-E-16 LPE-HgTeの不純物状態と磁気抵抗変化の高感度測定
• 14a-E-17 プラズモン-フォノン結合モードとHgTeの磁気フォノン共鳴
• 3a-F-8 Hg_Cd_xTeの磁気フォノン共鳴の異常な温度変化II
• Experimentally Proven Equation for the Collector-Depletion-Layer Transit Time of npn Bipolar Transistors
• 30p-LD-2 Hg_CdxTeのキャリア再結合過程と共鳴再結合による磁気量子振動 III(半導体)
• 1p-PS-54 新しい固溶体系R_Ba_Cu_3O_(R=Nd,Sn,Eu)の結晶構造と超伝導特性(低温(酸化物超伝導体))
• 30p-LD-3 Hg_MnxTeのLPE成長と強磁場電気伝導(半導体)
• 30p-LD-4 横磁気ゼーベック係数の異常に大きな磁気フォノン振動(半導体)
• 3a-D1-13 LPE-Hg_Mn_xTeにおける過剰キャリヤーの磁気フォノン共鳴再結合(3a D1 半導体(輸送現象・ホットエレクトロン),半導体)
• 31p-FB-3 Hg_Cd_xTeのキャリアー再結合過程と共鳴再結合による磁気量子振動(31p FB 半導体(磁性半導体,ナローギャップ))
• 31a-A5-10 高速イオン励起オージェ電子の固体内減速スペクトル(31a A5 放射線物理)
• 31p-FB-2 HgTeをベースとした半磁性半導体のLPE成長と電流磁気効果(31p FB 半導体(磁性半導体,ナローギャップ))
• 1p-D1-12 Hg_Mm_xTeのLPE成長(1p D1 半導体(アモルファス・ナローギャップ),半導体)
• 31p-FB-1 LPE-Hg_Mn_xTeにおける過剰キャリヤーの磁気フォノン共鳴再結合III(31p FB 半導体(磁性半導体,ナローギャップ))
• 31a-G-1 HgTeベース混晶半導体のLPE成長とその磁気フォノン共鳴再結合(31aG 半導体(ナローギャップ,擬一次元系))
• 1a-L2-1 Hg_Cd_xMn_yTeのLPE成長と電流磁気効果(半導体,(表面・界面・超格子))

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク