直並列FET構成を用いた60GHz帯90nm Si-CMOS高耐電力T/Rスイッチ(一般講演,マイクロ波信号発生と計測技術/一般)
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概要
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60GHz帯の無線通信用に90nm Si-CMOSを用いた高耐電力送受信切換(T/R)スイッチを提案する.従来のGaAsのMMICで用いられた,送信ポートに直列,受信ポートには並列にそれぞれFETを挿入した回路構成を採用した.また,それぞれのFETは,FET単体でのモデリングを行い,320μmのゲート幅を採用することにより耐電力特性の向上を図った.広いゲート幅のFETの使用は,FETがOFF状態の時の容量C_<off>に伴い,受信モードにおける挿入損失とアイソレーションを劣化させるため,C_<off>と60GHz帯で共振させるマイクロストリップラインをソース/ドレイン間に接続した.90nm Si-CMOSを用いて試作したT/Rスイッチは,送信モードにおいて,36GHzおよび60GHz帯でそれぞれ36.5dBm, 24.8dBmの出力電力まで,利得圧縮のない,線形な特性を確認した.なお,これらの値は,測定系の出力限界によるものであり,回路シミュレーションでは,60GHzで1Wを超える出力電力まで,線形な特性が得られている.
- 一般社団法人電子情報通信学会の論文
- 2013-06-20
著者
-
亀田 卓
東北大学電気通信研究所
-
高木 直
東北大学電気通信研究所
-
坪内 和夫
東北大学電気通信研究所
-
末松 憲治
東北大学電気通信研究所
-
高木 直
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
-
谷藤 正一
東北大学電気通信研究所
-
堀内 和夫
早稲田大学名誉教授
-
坪内 和夫
東北大・通研
-
末松 憲治
東北大学
-
高木 直
東北大
-
坪内 和夫
東北大
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